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      Entrevista para Memory Design Engineer

      22 de jan. de 2013
      Funcionário(a) sigiloso(a)
      San Diego, CA

      Outras avaliações de entrevista de vagas de Memory Design Engineer da empresa Qualcomm

      Entrevista para Memory Design Engineer

      12 de jan. de 2022
      Candidato(a) sigiloso(a) à entrevista
      Nenhuma oferta
      Experiência positiva
      Entrevista com nível médio de dificuldade
      Oferta aceita
      Entrevista com nível médio de dificuldade

      Candidatura

      Fui entrevistado pela Qualcomm (San Diego, CA) em dez. de 2012

      Entrevista

      Had a phone interview followed by 3 rounds of onsite interview. Few questions on verilog coding, state machine to realize time domain crossing between clock domains, layout practises to minimize diffucion cap/power, leakage paths in SRAM, latchup, effect of temperature on MOS, combinational gate realizations etc..Also some questions on the projects mentioned in the resume.

      Perguntas de entrevista [1]

      Pergunta 1

      state machine to realize time domain crossing between clock domains
      Responder à pergunta

      Candidatura

      Fiz uma entrevista na empresa Qualcomm.

      Entrevista

      The interviewer was very cooperative and polite. He asked simple digital design questions and sram memory. Prepare well about memories. Also he asked about dynamic circuits and domino effect. Started from basics questions and taught the things i did not answer. I was bit under qualifies for the position. Clear your basics.

      Perguntas de entrevista [1]

      Pergunta 1

      Draw the diagram of SRAM
      Responder à pergunta
      3